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北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；IPM模塊;半導體功率模塊;變頻器配件

IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開關 IGBT 模塊，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關損耗和發射極控制二極管——適用于牽引和工業應用的解決方案

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
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IGBT模塊FZ1000R33HL3
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IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D

高直流電壓穩定性
高短路能力
自限制短路電流
低開關損耗
出色的堅固性
Tvj op = 150°C
低 VCEsat，具有正溫度系數
鋁碳化硅基板，用于提高熱循環能力
封裝的 CTI > 600
絕緣基板

具有高電流能力的現有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業解決方案的產業鏈供應商。

銷售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

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英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件
3300V IGBT英飛凌FZ1000R33HE3_C1

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1	IGBT芯片的功率損耗。這個值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說，功率損耗越大，工作結溫就越高。
2	IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會影響散熱效率。一般來說，背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。
3	外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會影響工作結溫。散熱器的大小、材料以及通風情況都會影響散熱效果。